12”シリコンウェハー/12inch Silicon Wafer
12インチSi両面研磨ウェハー Φ300mmシリコン基板 厚み775±25um P型<100> 1-100Ω・cm 両面ミラー
品質:パーティクル管理有(0.2um30個以下) 製造:日本製(Made in Japan) 納期:1-2週間
- 企業:株式会社同人産業
- 価格:~ 1万円
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12インチSi両面研磨ウェハー Φ300mmシリコン基板 厚み775±25um P型<100> 1-100Ω・cm 両面ミラー
品質:パーティクル管理有(0.2um30個以下) 製造:日本製(Made in Japan) 納期:1-2週間
2インチ;3インチ;4インチ;5インチ;6インチ;8インチ;12インチ ダミーウェハー~プライムウェハーまで、各グレードご提供
ウェハー (wafer ウェイファ)は、半導体素子製造の材料である。高度に組成を管理した単結晶シリコンのような素材で作られた円柱状のインゴットを、薄くスライスした円盤状の板である。洋菓子のウェハースに由来(英語表記ではいずれもwafer)。 ウェハーのほか、ウェーハ、ウエーハ、ウエハー、ウェハ、ウエハなどさまざまに呼ばれる。
2インチ;3インチ;4インチ;5インチ;6インチ;8インチ;12インチ ダミーウェハー~プライムウェハーまで、各グレードご提供
ウェハー (wafer ウェイファ)は、半導体素子製造の材料である。高度に組成を管理した単結晶シリコンのような素材で作られた円柱状のインゴットを、薄くスライスした円盤状の板である。洋菓子のウェハースに由来(英語表記ではいずれもwafer)。 ウェハーのほか、ウェーハ、ウエーハ、ウエハー、ウェハ、ウエハなどさまざまに呼ばれる。
CZ法/FZ法のシリコン基板を、結晶成長からスライス、ラッピング、エッチング、研磨、酸化膜、エピーまで御対応可能です!
同人産業のシリコンウェハーは、日本国内工場で生産している他、中国メーカーにて委託生産しています。Φ2″、Φ4”、Φ6”、Φ8”、Φ12”まで全てのサイズを得意としております。 熱酸化膜、CVD酸化膜、SOI、Silicon on Siliocnエピーなども対応可能です。 BG加工(バックグラインディング)、ダイシング、刳り抜き、放電加工など特殊形状加工も対応可能です。 ※Φ600mmまでの大径シリコンインゴットやパーツ加工(MC加工)も得意としております。
単結晶金属薄膜により特性が向上します
Gaianixx独自の多能性中間膜により、シリコン基板上に高品質な白金薄膜をエピタキシャル成長させ、(100) 単一配向の単結晶薄膜を実現しました。単結晶体は多結晶体と比較して、粒界がないことで電気的な欠陥が少なくなるため、電気抵抗が低く電気伝導性が高くなります。そのため半導体や電子デバイスの性能向上に寄与することが期待されます。白金薄膜は各種デバイスの下部電極として用いられるほか、温度センサなどにも応用されています。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。